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第421章 光之晶（第3页）
“李教授？”
“铌酸锂不仅脆，而且对温度极其敏感。”
李振声拿起碎片，“机械切割会产生热量，导致晶圆表面电荷积聚，甚至放电击穿。”
“我在美国的时候，见过一种新的技术路线。”
“离子注入剥离。”
“什么？”
严教授愣住了，“那不是用来做绝缘体上硅的技术吗？”
“原理是一样的。”
李振声解释道。
“我们不切它。我们用高能氢离子，注入到晶棒的表层下方。”
“离子会在晶格内部形成一个气泡层。”
“然后，加热。”
“气泡膨胀，这一层薄薄的单晶薄膜，就会自动从晶棒上剥离下来！”
“不需要锯子，不需要磨削。”
“剥离出来的薄膜，厚度只有几百纳米，而且表面原子级平整！”
“然后，我们把这层薄膜，键合到便宜的硅衬底上。”
“这就叫绝缘体上铌酸锂技术。”
“这不仅解决了加工难题，因为只需要极少量的铌酸锂，还大大降低了成本！”
林远眼睛亮了。
这是一个跨界打击的思路。
用半导体的工艺，去解决光学材料的加工难题。
“设备呢？”
林远问，“离子注入机，我们有吗？”
“有。”
王海冰点头，“中科院微电子所有一台国产的样机，虽然不如美国的AppliedMaterials先进，但注入氢离子够用了。”
“键合机呢？”
“这也是个难题。”
李振声皱眉，“铌酸锂和硅的热膨胀系数不同。高温键合会炸裂。我们需要常温键合技术。”
“目前，这项技术掌握在奥地利的EVG公司手里。”
“买！”
林远毫不犹豫。
“买不到。”
王海冰苦笑，“EVG也在瓦森纳协定名单里。”
又是一堵墙。
没有现成的键合机，就意味着无法把那层珍贵的薄膜贴到硅片上。
贴不上去，一切都是空谈。
“常温键合的原理是什么？”
林远问。
“表面活化。”
李振声解释，“在真空环境下，用等离子体轰击两个材料的表面，打断表面的化学键，让原子处于饥饿状态。”
“然后，把两个表面贴在一起。”
“原子之间会瞬间形成共价键，就像两个磁铁吸在一起一样。不需要胶水，不需要高温。”
“但这需要极高的真空度和极精密的等离子体控制。”
“如果我们自己造这台机器……”
王海冰估算了一下，“大概需要半年。”
“太久了。”
林远摇头。
他突然想到了什么。
