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第466章 军工设计和失效分析（第3页）
她顿了顿。
“6o块芯片。目检淘汰3块，短路淘汰41块，击穿淘汰8块。最后能用的，8块。良率，13。3%。”
台下有人倒吸一口气。
钱兰没理会，从兜里拿出几块芯片，摆在讲台上。
她拿起第一块，是短路的。
“72%的短路率。”
她说，“当时我们测第一块，零。第二块，零。第三块，零。测到第十块的时候，手都在抖。”
她指了指身后幻灯片上那张放大的版图，两条线挨得很近。
“后来现，短路的区域高度集中，都在寄存器堆，都在同一个位置。设计规则下限，5微米。理论上够。但工艺有波动，光刻偏一点、刻蚀过一点，就连上了。”
台下有人举手，是63o5厂的一个年轻技术员：“后来怎么改的？”
“放宽。”
钱兰说，“6微米。宁可面积大一点，也不冒短路的险。”
她在黑板上写下一个词：工艺窗口。
“这是我们从这次失败里学到的第一课。设计不是走钢丝，是给工艺留出余量。”
她拿起另一块芯片，是被击穿的。
“静态电流测出来的。上电，指针直接打到底。内部击穿了。”
身后的幻灯片播放着真空所用电镜拍的几张照片。放大几百倍的显微照片，晶圆表面有一个小小的熔坑，像被雷劈过的痕迹。
“击穿点集中在栅氧化层。”
她指着照片上的那个黑点，“晶体管尺寸太小，电场强度太大。电压一高，就打穿了。”
台下安静了几秒。
“这个怎么改？”
还是那个年轻技术员。
“加大。”
钱兰说，“关键路径上的晶体管，尺寸翻倍。功耗大一点没关系，但不能击穿。”
她在黑板上又写了一个词：可靠性冗余。
“这是第二课。有些地方，宁可‘浪费’一点，也不能赌。”
她又拿起一块芯片，是那5块能用的之一。
“5块能用。但全都有延迟。”
她指着幻灯片上的示波器波形，“频率比设计值低15%到2o%。所有能用的，都慢。”
她指着波形上的某个点。
“测了几天，找到问题。关键路径上有个与非门，驱动能力不够，信号爬升慢。这个门画得太小了。”
她转过身，看着台下。
“这不是工艺的问题，不是材料的问题，是电路设计的问题。我们画版图的时候，光顾着把管子做小、把线画密，忘了问一句：它跑得动吗？”
台下没人说话。
“这是第三课，设计不只是画出来，还要算清楚。每一级延迟，每一根线的电容，都要算。不算就是盲人摸象。”
