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第559章 复盘立规（第1页）

用了三天的时间，吕辰等人，跑了63o5厂产品中心、计算机所板卡设计室，又去了几家配套的电子元件厂。

每到一处，就是翻记录、看实物、问细节。

63o5厂产品中心的戚工把厚厚一沓失效分析报告搬出来，堆在桌上像座小山。

吴国华一页一页翻，看到关键处就用红笔圈出来，在旁边写批注。

“金属线拐角断线，这个在kL-Vu上出现了十几例，全是第二层金属拐弯的地方。”

他指着电镜照片，“拐角内侧金属线明显变细，局部几乎断开。我们后来改了布线规则，拐弯处加宽线径，禁止小于135度的锐角拐弯。”

万人敌凑过来看了一眼，在本子上记了一笔：“拐角线径加宽，禁止锐角。”

“接触孔开路，三例。”

吴国华翻到另一页，“钨塞填充不良，接触电阻比正常值大了两个数量级。原因是刻蚀深度不够，接触孔没有完全打开。后来调整了刻蚀时间，每批抽检孔深。”

郑长枫在一旁补充：“栅氧击穿，两例。针孔缺陷，漏电严重。这个不是工艺能解决的，是材料问题。硅片出厂时就有缺陷，后来换了供应商，加强了入检。”

万人敌把这些一条一条地记下来，字迹工整，每一个数字都核对了两遍。

计算机所板卡设计室，李工则把板卡设计中遇到的问题也摊了出来。

“电源板的IRdrop最头疼。”

李工画了一张图，“大电流走线太细，压降标。仿真的时候用的理想模型，实际板卡做出来，远端电压比近端低了将近o。3伏。有些芯片在阈值边缘工作，时好时坏。”

“怎么解决的？”

吕辰问。

“加粗电源线，多层板单独拿出一层做电源平面。”

万人敌，“但这样板层数增加，成本上去了。后来折中，关键芯片就近放去耦电容，每个电源引脚一个o。1微法。”

郑长枫翻着图纸：“去耦电容的位置有讲究吗？”

“有。”

李工从抽屉里拿出一张图纸，“越近越好，引线越短越好。我们后来的规范是，去耦电容到芯片电源引脚的距离不过5毫米。”

郑长枫把这个数字也记了下来。

几家元件厂跑下来，问题清单越来越长。

晶体振荡器的温漂问题、连接器的接触电阻离散性、电阻电容的精度不足、继电器触点抖动……

每一条都被记录下来，按“工艺问题”

“设计问题”

“环境问题”

“元器件问题”

分类，标注严重程度和解决方案。

周五下午，五个人回到红星所，在吕辰办公室坐下，围着那张堆满资料的桌子。

吴国华把收集到的资料摞起来，用手拍了拍边角，码整齐。

“东西不少。得好好捋一捋。”

他话不多，但做事利索，这几天一直闷头记录，笔记本已经写满了大半本。

吕辰站起来，走到黑板前，拿起粉笔。