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第460章 极限的边界（第4页）

三个人围坐在桌前，一页一页翻着这份报告。

六十颗芯片的坐标图，每一颗的故障类型都标得清清楚楚。

典型故障的显微照片，那些短路、击穿的痕迹，像一道道伤疤。

击穿点的坐标与版图对照，精确到微米。

延迟测试的波形图，每一张都有详细的标注。

最后是结论与建议。

设计问题：电源线与地线间距过小，晶体管尺寸偏小，长走线缺乏缓冲器。

工艺问题：氧化层致密性不足，掺杂浓度波动大，洁净度有薄弱环节。

原材料问题：晶圆存在位错密度高的缺陷带。

下一版改进方案：缩窄设计规则，加大晶体管尺寸，增加缓冲器；优化氧化工艺，调整掺杂工艺，加强来料检验。

诸葛彪翻完最后一页，长长地吐了一口气：“这报告，够写一篇毕业论文了。”

钱兰笑了：“那你拿去答辩。”

……

中午的时候，柳工来到验证室，他是收到《gpmc-o1芯片次流片失效分析报告》后来的。

此时，他手里也拿着一份：“我仔细看了一遍，写得很好。问题找得准，分析得透，建议也提得对。”

吕辰直起腰：“柳工，您看工艺这边，我们提的那些改进……”

“我正在想这个事。”

柳工拉过一把椅子坐下，“你们报告里写的，氧化层质量不稳，光刻有偏差，掺杂浓度波动都对。但怎么改，我得跟你们商量商量。”

他拿起桌上的笔，在报告的空白处画了一个简单的炉管示意图。

“氧化工艺，现在用的是高温干氧氧化，每分钟生长度大概1ooo埃。度快，但致密性差，容易有针孔。”

他用笔点着图上的几个点，“如果降低生长度，比如降到每分钟5oo埃，氧化层会更致密，针孔会少。但代价是时间翻倍，炉管的产能就降下来了。”

钱兰抬起头：“柳工，您的意思是，要改工艺参数？”

“对。”

柳工点头，“但不是简单地把度降下来。我想的是，能不能分两步走？先快生长一层，再慢生长一层。快的那层用来控制厚度，慢的那层用来提高致密性。这样既能保证产能，又能提高质量。”

吕辰眼睛亮了，这就是经验。

他们做设计，只知道“氧化层质量不稳”

，但怎么稳，是工艺的事。

而柳工这种一线老师傅，脑子里装着的，就是这些“怎么稳”

的办法。

“掺杂那边呢？”

诸葛彪问。

柳工又画了一个扩散炉的示意图：“现在用的是恒定源扩散，靠控制时间和温度来控制掺杂浓度。但这个方法的缺点是，炉子里不同位置的片子，掺杂浓度不一样。前端的比后端的浓，中间的比边缘的浓。”

他顿了顿，用笔在图上画了一个箭头：“我想试试‘两步扩散法’。先沉积，再推进。沉积的时候，在片子表面涂一层含掺杂剂的氧化物，然后低温推进，让掺杂剂慢慢扩散进去。这样浓度更均匀，控制也更精确。”