笔趣阁

第304章 大能聚会（第4页）

“数学上，这相当于一个资源调度优化问题。”

清华的徐教授开口了，“我们可以建立一个多目标优化模型：在芯片面积、功耗、制造成本的约束下，最大化科学计算性能和实时控制性能的加权和。权重要根据实际应用场景来定。”

讨论持续了四十分钟。

最终达成共识，即第一代“星河”

芯片应优先支持科学计算，但硬件设计必须为实时控制留出可扩展的接口和确定的响应时间上界。

数学组承诺在三个月内提交《“星河”

指令集数学需求白皮书》，明确各类算法的计算特征和性能要求。

接下来讨论第二个议题，晶体管缩小会遇见什么墙？

黄昆团队的张研究员走到中间的黑板前，他说话语速很快，带着南方口音。

“同志们，晶体管尺寸缩小，可以提高开关速度、降低功耗。但——”

他顿了顿，用粉笔在黑板上画出一个MOSFET的剖面图，“缩小到一定程度，会撞上根本性的物理限制。”

他画出能带示意图，标注出费米能级、导带、价带。

“在硅平面工艺中，栅极对沟道的控制能力，取决于氧化层厚度和介电常数。”

张立纲用粉笔指着栅氧化层的位置，“当沟道长度缩短到与耗尽层宽度相当时，会出现短沟道效应，栅极失去控制，电流关不断。”

他在黑板上写出一个公式。

L_min≈3*√(ε_si*φ_t(q*N_a））

“根据这个模型，在典型的掺杂浓度下，硅MOSFET的沟道长度极限大约在0。5微米左右。再往下，就需要全新结构。”

宋颜教授提问：“张老师，这个0。5微米是理论极限，还是当前工艺下的实际极限？”

“理论极限。”

张老师推了推眼镜，“实际上，由于工艺波动、界面态、热效应等因素，实际能达到的可靠尺寸可能要到0。8微米甚至1微米。再往下，漏电流会急剧增大，功耗失控。”

“绝缘层呢？”

宋颜教授问，“除了二氧化硅，有没有更高介电常数的材料？”

“有。”

张老师在黑板上写下几种材料，氮化硅（ε≈7。5）、氧化铝（ε≈9）、以及一些稀土氧化物（ε可达20以上）。

“但这些材料与硅的界面态问题需要研究。”

他补充道，“二氧化硅之所以成功，很大程度上是因为它在高温下能与硅形成近乎完美的Si-SiO2界面，界面态密度极低。换用其他材料，界面物理完全不同。”

“也就是说，我们未来必须在两个方向同时突破。”

吕辰总结道，“一是器件结构，比如让栅极从三面包围沟道，增强控制能力；二是材料，寻找更高介电常数的栅介质，以及更高迁移率的沟道材料。”

“正是！”

张立纲赞赏地点头，“这就是‘多栅晶体管’和‘高k介质金属栅’的方向。你们现在就应该开始材料研究。”

“这就像一个带约束的优化问题。”

数学所的陈教授忽然开口，声音很轻，但异常清晰，“在泊松方程、载流子输运方程等物理约束下，寻找器件几何参数和材料参数的最优解，使得开关速度最快、功耗最低、可靠性最高。我们可以建立一个多目标优化模型。。。。。。”

物理学家和数学家开始用公式对话。

张老师写出泊松方程和电流连续性方程，陈教授在旁边标注出哪些是约束条件，哪些是优化变量。

讨论的结果是，成立“器件物理与新型材料联合研究组”

，由黄昆团队、材料所、以及红星所的材料中心共同组成。第一阶段目标：建立硅基MOSFET的尺寸缩放理论模型，明确0。5微米节点的关键技术挑战；同步开展高k介质和化合物半导体的基础研究。

讨论完第二个议题，已经是晚上九点过，计算所的工作人员前来继茶。

夏先生宣布原地休息，大家相互递烟，聊起近来的一些课题之类。

喜欢四合院：我是雨水表哥请大家收藏：(）四合院：我是雨水表哥更新速度全网最快。